基于ZnO納米結構電阻式紫外探測器的研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種短波長、寬帶隙的光電材料,其外延生長溫度低、成本低、易刻蝕而使后工藝加工方便等優(yōu)點,在發(fā)光二極管、激光器、紫外探測器等領域有非常廣泛的應用。本文采用了“熱分解法”,合成了 ZnO納米晶,用噴涂的方法制備了 ZnO納米結構薄膜,構筑了電阻式光探測器,系統(tǒng)地研究了退火溫度與探測性能之間的聯系,探索了用 AgBiS2量子點敏化ZnO納米晶薄膜對探測器件性能的影響,主要研究結果如下:
　　1. ZnO納米晶上敏化 A

2、gBiS2量子點的光探測器的構建:利用Zn(CH3COO)2熱分解的方法在普通玻璃上沉積一層厚度約為754 nm的 ZnO薄膜,發(fā)現決定 ZnO薄膜的光探測性能的關鍵是沉積后的熱處理過程;利用噴涂的方法,用單分散的 AgBiS2量子點敏化 ZnO納米晶,發(fā)現決定探測器性能的關鍵因素在于噴涂 AgBiS2的次數;
　　2. AgBiS2量子點敏化 ZnO納米結構光探測器件的界面處理:利用Ligand-Exchange的方法對 AgB

3、iS2量子點表面進行處理,我們發(fā)現離子置換處理后的 AgBiS2量子點用于敏化 ZnO納米結構的探測器件時,更有利于光生載流子的傳輸,結果離子置換后的 AgBiS2量子點敏化 ZnO的復合探測器件的光探測能力比 ZnO單獨的探測器件增強一倍。
　　3. AgBiS2量子點敏化 ZnO納米結構光探測器件的穩(wěn)定性:經過10 min光照→10 min暗態(tài)2循環(huán)后,發(fā)現探測器仍能有較好的重復性,光電流和暗電流都會升高和下降至約同一電流值。