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文檔簡介
1、氧化鋅是一種具有立方晶體結構的直接帶隙半導體材料。在室溫下，通過鎂元素的摻雜可制得氧鋅鎂合金薄膜，使得這種薄膜材料的禁帶寬度在3.3 eV~7.8 eV范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。由于這種半導體材料分布廣泛、制備方法多以及環(huán)境友好，人們越來越關注這種材料的研究。
本論文主要采用射頻磁控濺射的方法來生長氧化鋅薄膜和氧鋅鎂合金薄膜。生長后的薄膜通過光刻工藝制備出具有金屬-半導體-金屬結構的紫外光電探測器。主要研究了射頻磁控濺射的方法生長的氧鋅鎂基
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