已閱讀1頁(yè),還剩60頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、 本文詳細(xì)介紹了寬帶隙半導(dǎo)體SiC的性質(zhì)、材料制備及器件方面的研究。著重分析了以n-4H-SiC和金屬Au作肖特基接觸,Ti、Ni、Ag合金作背底形成歐姆接觸,研制出的Au/n-4H-SiC肖特基紫外探測(cè)器的優(yōu)良性能?!y(cè)試分析了器件在高溫高壓下的光譜響應(yīng)特性,響應(yīng)范圍在200nm~400nm之間,室溫?zé)o偏壓下,響應(yīng)峰值在320nm,響應(yīng)半寬82nm。在高反壓下(100V以上)探測(cè)器的光譜響應(yīng)曲線出現(xiàn)了銳上升和銳截止,在260nm-3
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 氮化鎵基紫外光電探測(cè)器的研究.pdf
- ZnO紫外光電探測(cè)器的研究.pdf
- GaN基日盲型紫外光電探測(cè)器.pdf
- 微納米ZnO基紫外光電探測(cè)器的制備與性能研究.pdf
- 基于ZnO、SiC的高性能紫外探測(cè)器的研究.pdf
- 4H-SiC紫外光電探測(cè)器光電特性隨溫度變化的研究.pdf
- 4H-SiC紫外光探測(cè)器的研究.pdf
- 基于TiO2、ZnO的紫外光電探測(cè)器制備及其光電性能研究.pdf
- ZnO基薄膜及其紫外光電探測(cè)器的制備和特性研究.pdf
- 硅基叉指狀紫外光電探測(cè)器的建模與設(shè)計(jì).pdf
- 全透明ZnO紫外光電探測(cè)器的室溫制備與性能研究.pdf
- ZnO基紫外光電探測(cè)材料研究.pdf
- 基于ZnO納米結(jié)構(gòu)的自供電紫外光電探測(cè)器.pdf
- 氧化鎵MSM日盲紫外光電探測(cè)器的研制.pdf
- 4H--SiC p--i--n紫外光電探測(cè)器的制備及其特性研究.pdf
- MgZnO基有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合紫外光探測(cè)器的研制.pdf
- GaN材料及MSM結(jié)構(gòu)紫外光電探測(cè)器的研究與制備.pdf
- 新型TiO2基透明導(dǎo)電薄膜及其在紫外光電探測(cè)器中的應(yīng)用.pdf
- 高性能硅量子點(diǎn)石墨烯硅基光電探測(cè)器的研究.pdf
- TiO2薄膜及其紫外光電探測(cè)器的制備和研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論