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文檔簡介
1、半導(dǎo)體紫外光電探測器在民用、軍事以及商業(yè)方面都有著廣泛的應(yīng)用，近年來引起了人們的極大研究興趣。ZnO由于其優(yōu)異的光學(xué)以及電學(xué)性質(zhì)，在紫外光電探測器領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
全透明是電子產(chǎn)品未來發(fā)展的必然趨勢，因此本文新提出在價(jià)格低廉的普通玻璃襯底上、常溫下制備全透明ZnO薄膜，以ZnO紫外光電探測器的制備及其光電性質(zhì)的研究為中心展開，對ZnO薄膜本身的制備和表征、紫外探測器的制備和表征分別進(jìn)行了深入的研究。
首先選用
2、磁控濺射法在普通玻璃襯底上制備ZnO薄膜，利用XRD以及PL分析比較了不同工藝參數(shù)下制備的樣品的薄膜質(zhì)量。先后研究了濺射功率、濺射壓強(qiáng)和退火處理對薄膜結(jié)晶質(zhì)量的影響，經(jīng)過分析比較XRD的特征衍射峰強(qiáng)度、半寬高、晶粒尺寸大小，以及比較PL譜中由缺陷引起的峰的強(qiáng)弱，得出最佳工藝參數(shù)。
隨后在ZnO薄膜上制備MSM結(jié)構(gòu)紫外光電探測器，探索不同功函數(shù)的金屬電極、退火與否以及不同的退火氣氛、不同的叉指對數(shù)對探測器性能的影響，性能測試包括
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