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1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文硅基GaN薄膜制備及紫外探測(cè)器的初步研究姓名:王宇申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師:葉志鎮(zhèn)2001.6.1浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文硅基GaN薄膜制備及紫外堤測(cè)器的翅壟墅塑試。,光刻后,經(jīng)過(guò)在600。C的退火,器件有良好的歐姆特性,通過(guò)對(duì)其光電流的測(cè)量及分析,發(fā)現(xiàn)在250hm到365nm處,光電流響應(yīng)曲線趨于平坦,而在365nm到375nm處,光電流下降了大約2個(gè)數(shù)量級(jí)。當(dāng)外加電壓從OV到7V時(shí),光響應(yīng)度從1
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