GaN基核輻射探測器研究.pdf

1、GaN的材料特性具有較寬的禁帶寬度和較強(qiáng)的抗輻射強(qiáng)度，同時其共價鍵鍵能比較大，這些都使得它成為半導(dǎo)體核輻射探測領(lǐng)域的一個理想材料。目前使用較為普遍的Si基材料因其不能在高溫、強(qiáng)輻射環(huán)境下應(yīng)用而受到限制。因此對GaN基核輻射探測器的研究就十分必要了。
　　本文首先介紹了核輻射探測器的分類以及GaN材料的相關(guān)特性，再詳細(xì)闡述了GaN材料的主要制備方法及其工作原理。
　　其次在文中討論了，有關(guān)制備歐姆接觸的合金方案以及退火方案。介

2、紹了工藝過程中較為重要的光刻工藝，以及光刻板的繪制。同時通過軟件仿真對器件的電學(xué)性能進(jìn)行模擬。也將GaN基核輻射探測器對α粒子的探測效果進(jìn)行仿真計算，對能量不同得α粒子與探測器在不同反向偏壓下的作用情況進(jìn)行了模擬仿真。發(fā)現(xiàn)隨著α粒子能量增大，其在探測器內(nèi)部的射程及收集電荷也將增加。而后詳細(xì)描述了器件制備的工藝流程，以及每一步的具體工藝參數(shù)。
　　最后，本文測試了GaN外延的質(zhì)量，同時測試了制備的GaN基核輻射探測器電學(xué)性能，當(dāng)外加