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文檔簡介
1、近年來,微電子行業(yè)快速發(fā)展,對于電子產(chǎn)品的封裝要求也越來越高,就促使封裝行業(yè)的關鍵技術獲得進一步改進,其中硅通孔技術的出現(xiàn)將封裝業(yè)帶入了一個新的轉(zhuǎn)折點,但是隨著尺寸的微細化,硅通孔技術作為一項新的技術,也存在很多問題,考慮到封裝的疲勞和失效,其中對于三維堆疊封裝結構的熱可靠性分析成為了該項技術發(fā)展的關鍵。為了避免封裝結構關鍵部位在熱載荷的作用下發(fā)生熱變形失效,本文進行了以下幾個方面的研究。
首先,研究了電鍍銅使用不同的材料屬性
2、參數(shù),單個硅通孔在熱沖擊溫度載荷下的熱機械響應。經(jīng)過多次有限元分析,得出兩者應力大小和分布的不同,總結應力大小分布發(fā)生的機理,進一步研究了結構參數(shù)對于單個硅通孔熱機械可靠性的影響。對比了相同結構參數(shù)下單個硅通孔在二維模型和三維模型下的分析結果。經(jīng)過多次建模分析,得出了在兩種模型下,硅通孔的應力大小和分布的相同點和不同點。
其次,用解析法和數(shù)值方法聯(lián)合研究二維俯視圖和軸向圖簡化結構的適用范圍,通過探究得出,芯片堆疊封裝用二維軸向
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