含記憶元件電路的基本特性以及對外界激勵響應(yīng)的研究.pdf

1、1971年，加州大學的蔡少棠教授從理論上預言了憶阻器的存在，直到2008年，惠普公司Strukov等人基于摻雜 TiO2材料實現(xiàn)了憶阻器器件原型。作為一類典型的非線性記憶元件，憶阻器在混沌電路、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、圖像處理等領(lǐng)域具有有廣闊的應(yīng)用前景。隨著對憶阻器研究的深入，研究工作者們推廣了記憶元件的相關(guān)概念，憶容器和憶感器被相繼提出。盡管二者的器件實物還沒有實現(xiàn)，但其相關(guān)電學特性、物理模型以及應(yīng)用都已引起了研究工作者的極大興趣。本論文就憶阻

2、器、憶容器和憶感器的基本特性、串并聯(lián)電路以及在記憶電路、混沌電路領(lǐng)域的應(yīng)用展開研究，主要研究內(nèi)容和結(jié)果包括：
　　研究了憶阻器、憶容器和憶感器基本器件特性。對于憶阻器，研究了磁控分段線性函數(shù)憶阻器的特性；對于憶容器，研究了磁控分段線性函數(shù)以及三次非線性函數(shù)的憶容器特性；對于憶感器，研究了荷控分段線性函數(shù)以及Biolik模型的憶感器的特性。研究表明，這三類記憶元件都能呈現(xiàn)明顯的緊縮磁滯現(xiàn)象，同時，當器件參數(shù)、外加信號頻率變化時，其特

3、性曲線也有明顯變化規(guī)律?；谶@三類記憶元件，具體研究了MLC串并聯(lián)、RLCM串聯(lián)、RCLM并聯(lián)電路，具體研究了記憶元件的分壓、分流特點，為探索其應(yīng)用提供了理論依據(jù)。
　　研究了含憶阻器、憶容器的記憶電路對周期性、非周期性外界激勵信號的響應(yīng)特性。研究結(jié)果表明，通過相關(guān)參數(shù)的調(diào)整，憶阻器的憶阻值、憶容器的憶容值在周期性信號的激勵下會有顯著變化，在非周期性信號的激勵下無明顯變化。研究了含記憶元件蔡氏電路對不同激勵信號以及不同信號頻率和幅