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文檔簡介
1、Flash是目前應用最廣泛的非易失性存儲器，由于存在器件間耦合的問題，限制了其尺寸的進一步減小，急需尋找可替代的新型非易失性存儲器，以滿足信息技術發(fā)展的需要。阻變隨機存儲器(RRAM)作為新型非易失存儲器的一種，具備著結構簡易、集成度高、功耗低、轉換速率快、微縮性好等優(yōu)勢，成為當前的研究熱點之一。氧化鋁是CMOS技術中重要的介質材料，氧化鋁基RRAM具有極大的潛力。本文研究了Ag/AlxOy/P-Si結構的阻變特性及其狀態(tài)轉換機理。 2、r> 本文首先回顧了半導體存儲器的發(fā)展及其特點，介紹了目前確定的阻變隨機存儲器的狀態(tài)轉換機制。然后利用原子層沉積技術(ALD)沉積氧化鋁薄膜，濺射法制備金屬銀電極。通過I-V特性曲線測試表征了存儲能力，用X射線光電子能譜(XPS)分析氧化鋁薄膜結構特點。最后，根據(jù)其結構特點，采用亞能帶(sub-band)模型很好的解釋了在Ag/AlxOy/P-Si結構的RRAM狀態(tài)轉換機制。
測試表面，Ag/AlxOy/P-Si器件在不同尺
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