基于氧化鋁薄膜的阻變存儲(chǔ)器特性與亞能帶傳輸機(jī)理研究.pdf

1、Flash是目前應(yīng)用最廣泛的非易失性存儲(chǔ)器，由于存在器件間耦合的問題，限制了其尺寸的進(jìn)一步減小，急需尋找可替代的新型非易失性存儲(chǔ)器，以滿足信息技術(shù)發(fā)展的需要。阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器(RRAM)作為新型非易失存儲(chǔ)器的一種，具備著結(jié)構(gòu)簡易、集成度高、功耗低、轉(zhuǎn)換速率快、微縮性好等優(yōu)勢(shì)，成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)之一。氧化鋁是CMOS技術(shù)中重要的介質(zhì)材料，氧化鋁基RRAM具有極大的潛力。本文研究了Ag/AlxOy/P-Si結(jié)構(gòu)的阻變特性及其狀態(tài)轉(zhuǎn)換機(jī)理。

2、r>　　本文首先回顧了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展及其特點(diǎn)，介紹了目前確定的阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換機(jī)制。然后利用原子層沉積技術(shù)(ALD)沉積氧化鋁薄膜，濺射法制備金屬銀電極。通過I-V特性曲線測(cè)試表征了存儲(chǔ)能力，用X射線光電子能譜(XPS)分析氧化鋁薄膜結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。最后，根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，采用亞能帶(sub-band)模型很好的解釋了在Ag/AlxOy/P-Si結(jié)構(gòu)的RRAM狀態(tài)轉(zhuǎn)換機(jī)制。
　　測(cè)試表面，Ag/AlxOy/P-Si器件在不同尺