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文檔簡介
1、半導(dǎo)體氧化物氣體傳感器具有靈敏度高、響應(yīng)快、體積小、能耗與成本低、操作簡單等特點,應(yīng)用研究較為廣泛。具有特殊形貌且暴露特定晶面的氧化物,有助于提高氣敏性能。本課題選擇p型半導(dǎo)體Co3O4材料為研究對象,采用水熱法、溶劑熱法和靜電紡絲法制備了具有不同形貌的Co3O4氣敏材料,并采用離子摻雜和異質(zhì)結(jié)修飾等方法進行改性,探討了其對Co3O4微觀形貌、晶體結(jié)構(gòu)和氣敏性能的影響。
本文以硝酸鈷或乙酸鈷為原料,加入一定量的表面活性劑,采用
2、水熱法或溶劑熱法的方法,經(jīng)高溫?zé)崽幚砗笾苽涑隽似瑺詈桶魻頒o3O4納米粉體。以硝酸鈷為原料,乙醇和DMF為溶劑,PVP為粘結(jié)劑,用靜電紡絲工藝經(jīng)并高溫?zé)崽幚砗笾苽涑鯟o3O4納米纖維。更多的暴露了(111)晶面的Co3O4納米片氣體傳感器的靈敏度高于其他兩種形貌。其原因為(111)面上暴露的Co2+離子有更多的未飽和懸掛鍵,原子間距也更大。當丙酮濃度為100 ppm時,納米片氣體傳感器的靈敏度達到2.54。討論了施主離子摻雜Co3O4納
3、米材料對晶格結(jié)構(gòu)和氣敏性能的影響進行了。摻雜的Ti4+離子和W6+離子進入晶體,置換了Co2+離子,由于離子半徑的差異晶格發(fā)生畸變,但是都沒有生成新的第二相。當丙酮濃度為1000 ppm時,W6+摻雜量為1mol%的樣品的靈敏度為5.06。該配方的樣品由于摻雜濃度適中,且離子價態(tài)最高,對晶體表層空穴聚積層的阻值的增大作用最明顯,且使(111)面的表面的懸掛鍵更多,對材料氣敏性能的提升最為顯著。本實驗采用ZnO表面修飾改性Co3O4納米片
4、。在熱處理過程中ZnO與Co3O4形成了完全的固溶體ZnCo2O4相,當ZnCo2O4與Co3O4形成p-p異質(zhì)結(jié)時,異質(zhì)結(jié)處形成內(nèi)建勢場,能帶發(fā)生改變,增強了Co3O4對氣體的敏感性。研究了離子摻雜與異質(zhì)結(jié)修飾共同改性Co3O4納米片的氣敏性能。因為低價Zn2+離子進入晶格后中和了高價W6+離子的作用,晶體表層空穴聚積層電阻有所降低,且形成的兩種異質(zhì)結(jié)互相影響,導(dǎo)致樣品氣敏性能的下降。以上工作為p型氧化物半導(dǎo)體的氣敏材料的研究提供有益
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