扇面不均勻污穢下絕緣子串直流閃絡特性研究.pdf

1、絕緣子的不均勻積污在輸電線路運行中是一種常見的現(xiàn)象,也是導致污閃事故的原因之一,國內外對此做了大量的研究。但是,關于不均勻污穢的研究多針對于污穢沿上下表面和絕緣子串的不均勻分布,而對于污穢沿絕緣子迎風側和背風側的扇面不均勻分布的研究則較少。
　　本文在總結國內外現(xiàn)有成果的基礎上,選擇了4種典型的瓷和玻璃絕緣子作為試品,在重慶大學輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術國家重點實驗室人工霧室里開展了扇面不均勻污穢下絕緣子串的直流污閃試驗,論文的

2、主要工作及結論如下:
　?、僖?XP-70,XWP2-70,LXY-70和 LXY4-160絕緣子為試品,并以絕緣子迎、背風面的平均鹽密(SDD)為基準,試驗研究了絕緣子串在污穢扇面不均勻分布情況下的直流閃絡特性。結果表明,不均勻污穢對絕緣子污穢影響特征指數影響不明顯;絕緣子串直流污閃電壓受迎背風面污穢不均勻度Y/B和背風面面積比例K的影響明顯,即污閃電壓隨Y/B和K的增大而減小,且Y/B對污閃電壓的影響要大于K。
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3、據直流污閃試驗的結果,分析了絕緣子結構型式和扇面不均勻污穢對絕緣子有效爬電系數的影響。結果表明,均勻污穢下,不同型式絕緣子的有效爬電系數k因絕緣子材質結構等不同而有所差異;輕污穢下,k隨Y/B的增大先增大后減小,k隨K值的增大而增大;重污穢下,k隨Y/B的增大而減小,k隨K值的增大而減小。
　?、垡?XP-70絕緣子為試品,測量了泄漏電流,分析了扇面不均勻污穢對其臨界閃絡電流Icr的影響。結果表明,直流下絕緣子串的Icr隨鹽密的增

4、大而增大,且扇面不均勻污穢越嚴重(Y/B、K值越大),鹽密對Icr的影響越小;迎背風面污穢不均勻度Y/B和背風面面積比例K都對Icr有影響,且Y/B越大,Icr越大。
　?、軐?種試品絕緣子的直流污閃過程進行了拍攝,并提出扇面不均勻污穢下絕緣子直流閃絡放電分為電暈放電、細絲狀局部小電弧形成、局部大電弧形成以及局部電弧發(fā)展至完全閃絡四個階段;扇面不均勻污穢越嚴重,飄弧現(xiàn)象越明顯,故而污閃電壓越低。
　?、菀訪XY4-160絕緣