二維納米結構銀的制備及其SERS性能研究.pdf

1、表面增強拉曼散射光譜是一種具有高靈敏度，高分辨率的分析檢測技術。由這些特點，表面增強拉曼散射光譜技術在生物活體檢測，疾病診斷，環(huán)境檢測以及實時檢測異相催化反應過程的研究中具有潛在運用。實現(xiàn)表面增強拉曼散射在實際中的運用，制備具有SERS增強性能好，具有可調(diào)表面等離子共振以滿足運用需要的增強基底是極為重要的。二維結構的銀納米片，具有覆蓋整個可見光區(qū)直到近紅外區(qū)這樣寬范圍可調(diào)控的SPR，引起了人們的廣泛關注。SPR的激發(fā)是影響SERS性能的

2、一個重要因素，是電磁場增強機理的核心因素。因而制備具有高質(zhì)量的銀納米片，為系統(tǒng)研究SERS性能與SPR的關系，尤其是具有寬范圍可調(diào)控的SPR，對深入理解SERS增強機理與如何構造具有高活性SERS基底提供基礎具有重要意義。
　　 用改進的種子生長的方法制備具有高質(zhì)量的銀納米片。通過調(diào)控實驗參數(shù)，可以得到具有尺寸分布均一形貌單一的二維結構銀納米片，并且該銀納米片能夠?qū)崿F(xiàn)其SPR在485-1200nm寬范圍內(nèi)的調(diào)控。種子生長的方法將

3、種子的成核階段與生長階段分開，容易實現(xiàn)實驗參數(shù)的調(diào)控。進而比較容易地制備出具有所需要尺寸以及SPR的銀納米片。
　　 二維結構的銀納米片是高度各向異性生長的結果。通過調(diào)控試驗參數(shù)，研究了銀納米片二維生長機理。蓋帽試劑的晶面選擇性吸附對銀納米片的二維生長幾乎沒有影響。而銀納米片中存在層錯缺陷結構能夠使銀在層錯缺陷處快速生長。層錯缺陷所導致的孿晶結構是線狀形式暴露在外面，決定了銀納米片沿著二維方向生長。在種子的制備過程中，還探討了層

4、錯缺陷結構的產(chǎn)生機理，我們提出了取向性連接(orientationattachment)的聚集融合過程是層錯缺陷結構產(chǎn)生的關鍵。
　　 具有在寬范圍(485-1200nm)內(nèi)可調(diào)控的SPR，銀納米片是研究SPR依賴的SERS性能的理想材料。由于耦合效應，銀納米粒子聚集體能夠獲得極大增強的SERS信號。隨著銀納米片尺寸的增加（SPR紅移），聚集體的SERS信號也變得越來越強。這是由于大尺寸的銀納米粒子具有較強的耦合效應。而對于穩(wěn)定