GaAs基VCSEL結(jié)構(gòu)特性模擬和表征.pdf

1、本文利用實驗與模擬相結(jié)合的方法，通過分子束外延(MBE)設備在襯底上生長了GaSb單層膜、周期分別為10、20的GaSb/InAs超晶格，用雙晶X射線衍射儀分別測得其搖擺曲線，使用X'Pert Epitaxy軟件對得到的雙晶X射線衍射搖擺曲線測試結(jié)果擬合，得到了生長過程中峰位、半峰寬、單層厚度、應變等數(shù)據(jù)，分子束外延(MBE)設備使用成熟后，接著使用MBE生長了GaAs為襯底的VCSEL整體結(jié)構(gòu)，并最終生長出各個峰位明顯且良好的VCSE

2、L，這對指導VCSEL的分子束外延生長實驗具有重要意義。
　　通過分子束外延(MBE)設備先對GaSb單層膜進行生長，使用雙晶X射線衍射儀測得樣品的搖擺曲線。再通過軟件模擬搖擺曲線與測試結(jié)果擬合，得到單層膜GaSb的半峰寬是26arcsec，峰型十分尖銳，生長的薄膜晶格質(zhì)量很好，說明用MBE設備生長單層膜已經(jīng)掌握，可以進行超晶格的生長研究;然后對周期分別為10、20的GaSb/InAs超晶格進行生長，用軟件模擬超晶格結(jié)構(gòu)的搖擺曲線

3、，使其與測試結(jié)果擬合，測得實際生長的薄膜衍射峰的半峰寬分別是158arcsec、152arcsec，波峰尖銳，質(zhì)量良好，InAs和GaSb兩種材料之間的應變分別是0.56％、0.64％，周期厚度都是4.87nm，應變和厚度都十分穩(wěn)定，生長得到良好的控制，為下一步垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)生長夯實基礎;最后生長了設計好的VCSEL結(jié)構(gòu)外延片，用軟件模擬該結(jié)構(gòu)的搖擺曲線，得到了不同峰位的歸屬，通過模擬與測試結(jié)果擬合，實際的搖擺曲線測試