光伏電池表面微-納陷光結(jié)構(gòu)及硅納米線太陽電池的制備.pdf

1、降低光伏電池表面的光反射可有效提高太陽電池的效率，為得到低成本、迅速、穩(wěn)定的制備大面積微/納陷光結(jié)構(gòu)的方法，本論文采用自組裝技術(shù)、無電極化學(xué)沉積技術(shù)、金屬輔助化學(xué)刻蝕(MACE)技術(shù)制得了三種不同的微/納陷光結(jié)構(gòu)，研究了制備條件對微/納陷光結(jié)構(gòu)參數(shù)及其減反射性能的影響規(guī)律;利用硅納米線陣列制得了徑向p-n結(jié)的硅納米線太陽電池，討論了制備工藝對太陽電池性能的影響。主要取得以下結(jié)果:
　　 1、通過石墨納米顆粒(GNPs)的自組裝技

2、術(shù)和MACE技術(shù)制得了表面帶有硅納米線(SiNWs)和硅納米孔(SiNHs)的島狀陣列陷光結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)研究了GNPs溶液的濃度和刻蝕溶液中AgNO3的濃度對所制備的島狀結(jié)構(gòu)形貌及島狀結(jié)構(gòu)上SiNWs和SiNHs陣列參數(shù)的影響，探明了這種特殊陷光結(jié)構(gòu)的形成機(jī)理，獲得的陷光表面在300-1100nm光譜范圍內(nèi)平均反射率為3.6％。
　　 2、通過無電極沉積技術(shù)和MACE技術(shù)成功制備出了方形硅納米孔(SiNHs)陣列。分析了無電極沉積的

3、銀納米顆粒(AgNPs)的形貌隨著沉積時(shí)間變化，并研究了刻蝕溶液中AgNO3濃度和刻蝕時(shí)間對所制備方形SiNHs陷光結(jié)構(gòu)參數(shù)的影響，制備出的陷光結(jié)構(gòu)在300-1100nm光譜范圍內(nèi)平均反射率為3.3％。
　　 3、利用無電極沉積技術(shù)和MACE技術(shù)成功制備出硅納米線(SiNWs)陣列。研究了刻蝕溶液中AgNO3濃度和刻蝕時(shí)間對SiNWs參數(shù)的影響;分析了SiNWs陣列的直徑、周期、長度、直徑周期比等參數(shù)對其減反射性能的影響。當(dāng)刻蝕