晶體硅太陽(yáng)電池效率的光致衰減研究.pdf

1、隨著晶體硅太陽(yáng)電池制備技術(shù)的進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)化電池效率不斷向?qū)嶒?yàn)室記錄靠近。電池效率的提升依賴(lài)硅片的質(zhì)量，而硅片的質(zhì)量則主要是由其中的雜質(zhì)和缺陷決定的，p型摻硼直拉單晶硅太陽(yáng)電池在光照下會(huì)出現(xiàn)效率衰退現(xiàn)象，因此，提高晶體硅的品質(zhì)并抑制光衰的措施和機(jī)制成為光伏領(lǐng)域研究的重要課題。
　　1、本文首先對(duì)摻鎵、摻硼單晶硅中雜質(zhì)和缺陷在退火過(guò)程中的行為及其對(duì)少子壽命的影響進(jìn)行了系統(tǒng)研究，結(jié)果表明，在單步退火過(guò)程中，隨著退火溫度的升高，摻鎵單晶硅和

2、摻硼單晶硅中間隙氧含量都下降，摻鎵單晶硅中間隙氧含量下降速率更快；氧沉淀腐蝕坑都增多，摻鎵單晶硅的腐蝕坑尺寸小于摻硼單晶硅；少子壽命均下降，且低溫退火下降速率更快。隨著退火時(shí)間的延長(zhǎng)，摻鎵單晶硅和摻硼單晶硅中間隙氧含量也下降，氧沉淀腐蝕坑密度增加，少子壽命變化不大。兩步退火過(guò)程中，隨著第二步退火溫度的升高，摻鎵單晶硅和摻硼單晶硅中間隙氧含量和少子壽命下降速率加快。
　　2、研究了不同摻鎵比例的直拉單晶硅及其太陽(yáng)電池的性能，結(jié)果表明

3、，100％摻鎵的單晶硅的少子壽命比100%摻硼單晶硅的高一倍，Ga、B共摻單晶硅的少子壽命較低。不同比例的摻鎵單晶硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率均達(dá)到了摻硼單晶硅太陽(yáng)電池的水平，摻鎵為80%時(shí)的太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率最高。
　　3、研究了鎵對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池效率衰減的抑制作用，結(jié)果表明，隨著摻鎵比例的增加，直拉單晶硅太陽(yáng)電池的光致衰減率降低，摻鎵為100%時(shí)，光致衰減率最低，達(dá)到0.205%。由于鎵的摻入，B-O復(fù)合體的濃度降低，抑制了太陽(yáng)電池的光