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文檔簡介
1、隨著晶體硅太陽電池制備技術(shù)的進(jìn)步,產(chǎn)業(yè)化電池效率不斷向?qū)嶒?yàn)室記錄靠近。電池效率的提升依賴硅片的質(zhì)量,而硅片的質(zhì)量則主要是由其中的雜質(zhì)和缺陷決定的,p型摻硼直拉單晶硅太陽電池在光照下會出現(xiàn)效率衰退現(xiàn)象,因此,提高晶體硅的品質(zhì)并抑制光衰的措施和機(jī)制成為光伏領(lǐng)域研究的重要課題。
1、本文首先對摻鎵、摻硼單晶硅中雜質(zhì)和缺陷在退火過程中的行為及其對少子壽命的影響進(jìn)行了系統(tǒng)研究,結(jié)果表明,在單步退火過程中,隨著退火溫度的升高,摻鎵單晶硅和
2、摻硼單晶硅中間隙氧含量都下降,摻鎵單晶硅中間隙氧含量下降速率更快;氧沉淀腐蝕坑都增多,摻鎵單晶硅的腐蝕坑尺寸小于摻硼單晶硅;少子壽命均下降,且低溫退火下降速率更快。隨著退火時間的延長,摻鎵單晶硅和摻硼單晶硅中間隙氧含量也下降,氧沉淀腐蝕坑密度增加,少子壽命變化不大。兩步退火過程中,隨著第二步退火溫度的升高,摻鎵單晶硅和摻硼單晶硅中間隙氧含量和少子壽命下降速率加快。
2、研究了不同摻鎵比例的直拉單晶硅及其太陽電池的性能,結(jié)果表明
3、,100%摻鎵的單晶硅的少子壽命比100%摻硼單晶硅的高一倍,Ga、B共摻單晶硅的少子壽命較低。不同比例的摻鎵單晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率均達(dá)到了摻硼單晶硅太陽電池的水平,摻鎵為80%時的太陽電池轉(zhuǎn)換效率最高。
3、研究了鎵對單晶硅太陽電池效率衰減的抑制作用,結(jié)果表明,隨著摻鎵比例的增加,直拉單晶硅太陽電池的光致衰減率降低,摻鎵為100%時,光致衰減率最低,達(dá)到0.205%。由于鎵的摻入,B-O復(fù)合體的濃度降低,抑制了太陽電池的光
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