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1、本文總結(jié)了高效晶體硅太陽電池的關(guān)鍵技術(shù)工藝,著重總結(jié)了眾多實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法及其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,并闡述了選擇性發(fā)射極太陽電池結(jié)構(gòu)的特征。在深入地分析其優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)論證了選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)是提高太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的有效途徑。以國(guó)產(chǎn)單晶硅片為基片,以現(xiàn)行晶體硅太陽電池絲網(wǎng)印刷工業(yè)化生產(chǎn)工藝為基礎(chǔ),采用噴墨打印的方式實(shí)現(xiàn)選擇性重?fù)诫s磷源,結(jié)合三氯氧磷輕摻雜制備選擇性發(fā)射極太陽電池。通電化學(xué)ECV測(cè)試和I-V測(cè)試,表明了所制得的太陽電
2、池具有選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu),同時(shí)表明,這種方法所制得的選擇性發(fā)射極太陽電池比常規(guī)太陽電池具有較大的優(yōu)勢(shì),其光電轉(zhuǎn)換效率可以比同材料制得的常規(guī)太陽電池提高兩個(gè)百分點(diǎn),而其短波段的光譜響應(yīng)優(yōu)于常規(guī)太陽電池。最后指出了這種方法可以實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射極硅太陽電池的工業(yè)化生產(chǎn)。
為得到更高的電池效率,進(jìn)一步突破高效晶體硅的核心工藝技術(shù),總結(jié)分析了背表面鈍化的工藝技術(shù),深入分析了本征硅基薄膜作為晶體硅太陽電池表面鈍化的微觀機(jī)理及其應(yīng)用現(xiàn)狀。實(shí)驗(yàn)論
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