

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文檔簡介
1、太陽能是利用價值最高的新能源之一,晶體硅太陽電池則是利用太陽能最有效的手段之一。為了降低生產(chǎn)成本并提高轉(zhuǎn)換效率,晶體硅太陽電池的表面鈍化技術(shù)的研究意義非凡。
本文首先研究了氮化硅的微結(jié)構(gòu)與其鈍化效果的關(guān)系,在此基礎(chǔ)上分析了熱處理影響氮化硅薄膜鈍化效果的本質(zhì)原因。發(fā)現(xiàn)熱處理后,薄膜中固定電荷含量隨溫度的上升先下降再上升然后再下降,界面處氫的含量則是隨著溫度的上升先保持不變,再上升最后急劇下降。當(dāng)熱處理溫度為400℃-450℃時,
2、薄膜中固定電荷含量最高,界面處氫含量最高,薄膜鈍化效果最好。
對氮氧化硅的研究指出,當(dāng)一氧化二氮的流量為30sccm時薄膜的鈍化效果最好,此時氮氧化硅的組成為75%的Si-O2N2和25%的Si-SiON2。氧原子的引入是其鈍化效果優(yōu)于氮化硅的主要原因。熱處理可以使薄膜中的固定電荷含量上升,界面處態(tài)密度下降,從而提高薄膜的鈍化效果。
與非晶硅單層膜相比,非晶硅/氮化硅疊層膜的鈍化效果較好,氮化硅薄膜中大量的氫是主要原
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