多晶硅太陽電池關鍵技術研究.pdf

1、本論文依據(jù)多晶硅結構的特點，對多晶硅太陽電池制備的關鍵技術：多晶硅絨面織構、擴散和表面鈍化等進行了研究。 多晶硅有的晶粒上絨面減反射效果較差，多晶硅堿絨面織構的減反射效果不如單晶硅好。酸絨面織構可以改善其減反射效果，通過實驗，酸絨面織構表面對波長為400-1000nm的光反射率降低到20％以下，比堿絨面織構多晶硅的反射率小8個百分點。 多晶硅擴散后方塊電阻隨溫度變化比單晶硅更明顯，擴散溫度較低時多晶硅擴散方塊電阻比單晶硅

2、大，溫度較高時，多晶硅擴散方塊電阻比單晶硅??；800℃氧化后，多晶硅方塊電阻比氧化前增加，900℃氧化后方塊電阻比氧化前減小，本論文解釋了這兩種現(xiàn)象。 經(jīng)過實驗發(fā)現(xiàn)：采用變溫擴散可以改善多晶硅太陽電池性能，最初擴散溫度是900-950℃，后一段時間溫度是850-870℃。本論文研究了PECVD沉積氮化硅的表面鈍化工藝，結合氮化硅減反射膜的特點，對研制多晶硅太陽電池工藝進行了優(yōu)化，進一步改善了多晶硅太陽電池性能，使多晶硅太陽電池效