單晶硅太陽(yáng)電池關(guān)鍵工藝研究.pdf

1、單晶硅太陽(yáng)電池工藝技術(shù)水平是提高太陽(yáng)電池效率的關(guān)鍵。本文對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池的制絨工藝、擴(kuò)散工藝、燒結(jié)工藝進(jìn)行研究，進(jìn)而改善電池的性能，這對(duì)于提高我國(guó)單晶硅太陽(yáng)電池制備技術(shù)和研究水平具有現(xiàn)實(shí)意義。
　　 首先，通過(guò)改變NaOH濃度、異丙醇(IPA)濃度、制絨溫度和制絨時(shí)間等工藝參數(shù)，研究其對(duì)單晶硅片絨面平均反射率以及金字塔大小的影響。通過(guò)優(yōu)化得出當(dāng)NaOH濃度為1.5％、IPA濃度為4％、制絨輔助劑為350mL、制絨溫度為78℃以及

2、制絨時(shí)間為20min時(shí)制作的金字塔絨面均勻，其平均反射率為12.6％。
　　 其次，采用溫區(qū)補(bǔ)償方法對(duì)擴(kuò)散均勻性進(jìn)行研究。優(yōu)化得出擴(kuò)散溫度、小氮?dú)怏w流量、排氣壓強(qiáng)、大氮?dú)怏w流量分別為845±5℃、1000sccm、4Pa和9.5slm時(shí)擴(kuò)散不均勻度下降到5％以下，同時(shí)單晶硅太陽(yáng)電池的平均轉(zhuǎn)換效率提高了0.18％。
　　 最后，進(jìn)行燒結(jié)工藝研究，峰值溫度對(duì)電池性能影響較大。通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)預(yù)熱溫度和燒結(jié)峰值溫度進(jìn)行優(yōu)化。優(yōu)化得出