單晶硅太陽(yáng)電池內(nèi)阻的表征和燒結(jié)工藝、背面鈍化層的研究.pdf

1、光伏發(fā)電技術(shù)開始受到人類的重視。改進(jìn)電池工藝首先要求能正確表征太陽(yáng)電池的電性能參數(shù)；太陽(yáng)電池的每個(gè)工藝需要進(jìn)行全面而詳細(xì)的研究，才能與其它工藝相互配合；同時(shí)需要引進(jìn)新的電池結(jié)構(gòu)以適應(yīng)發(fā)展。本文在概述了工業(yè)上單晶硅太陽(yáng)電池的制作工藝后，對(duì)如下內(nèi)容進(jìn)行了研究： 首先，利用Optosolar太陽(yáng)電池測(cè)試儀研究了串聯(lián)電阻對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池的影響。比較了三種串聯(lián)電阻常用的計(jì)算方法。分析了在Ⅰ—Ⅴ曲線上選取的點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓和峰值電壓的差值對(duì)計(jì)算

2、串聯(lián)內(nèi)阻帶來(lái)的影響，這個(gè)差值在IEC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中沒(méi)有明確規(guī)定。研究了單晶硅太陽(yáng)電池串聯(lián)電阻的溫度特性和光強(qiáng)特性。新穎地采用紅外熱像儀表征漏電流，能顯示Correscan設(shè)備中ShuntScan功能所不能顯示的金屬電極下的低并聯(lián)電阻區(qū)。 然后，采用掃描電子顯微鏡，電化學(xué)電容電壓測(cè)試，Correscan設(shè)備，WT—2000設(shè)備，光譜響應(yīng)儀，理論計(jì)算等設(shè)備和手段比較全面地研究了紅外燒結(jié)爐中除最高燒結(jié)溫區(qū)外的其它幾個(gè)重要溫區(qū)和帶速對(duì)單晶硅

3、太陽(yáng)電池的影響。發(fā)現(xiàn)提高升溫速率對(duì)改善單晶硅太陽(yáng)電池電性能很有幫助。在原有電流傳輸機(jī)制的基礎(chǔ)上提出了另外兩種可能的電流傳輸機(jī)制。首次分析出隨著深度的增加，siNx下和Ag下電活性P原子的濃度差近似呈線性關(guān)系。發(fā)現(xiàn)鋁背場(chǎng)平均深度及其均勻性與開路電壓沒(méi)有明顯的對(duì)應(yīng)關(guān)系。提出利用燒結(jié)爐本身的溫度場(chǎng)特性將反置燒結(jié)作為改進(jìn)燒結(jié)工藝的一種方式。 最后，分析了siNx對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池背面的鈍化效果，首次采用PC1D軟件模擬了單晶硅太陽(yáng)電池背面