高效HIT非晶硅-單晶硅太陽電池中透明導電膜的研究.pdf

1、光伏發(fā)電的應用是解決能源與環(huán)境問題的有效途徑之一。HITTM(Heterojunction withintrinsic thin layer)太陽電池雖然誕生的時間不長，但是憑借其廉價高效的巨大優(yōu)勢成為全球光伏業(yè)界最受關注的發(fā)展目標，也成為目前該領域研究與開發(fā)的熱點與難點。 本研究工作目標是實現(xiàn)高效非晶硅/單晶硅異質結太陽電池的制備和提高晶體硅太陽電池的光電轉換效率以及降低生產(chǎn)成本向工業(yè)化推進。論文的主要研究內容如下：

2、采用等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）在p 型單晶硅襯底上制備本征氫化非晶硅和n 型氫化非晶硅薄膜，利用射頻磁控濺射在n 型非晶硅窗口層上制備氧化銦錫（ITO）透明導電膜構造非晶硅/單晶硅異質結太陽電池，采用光譜響應和I-V 測試手段對所制備的非晶硅/單晶硅異質結太陽電池進行測試和分析。 主要從襯底溫度、射頻功率、濺射氣壓、沉積時間和退火五個系列對氧化銦錫薄膜進行了研究。利用四探針法、Cary 500 scan 紫外-可見光

3、-近紅外光譜測試儀、原子力顯微鏡（AFM）、X 射線衍射儀（XRD）等手段，從電學、光學、表面形貌和微觀結構四個方面對制備的氧化銦錫透明導電膜進行了深入的研究。結果表明：ITO 薄膜對襯底溫度十分敏感，隨著襯底溫度的升高薄膜電阻率逐漸降低。薄膜的電阻率隨功率的增加先是顯著降低后又在最小值基礎上略有增大；光透過率隨功率呈先增后減的趨勢，120 w 時制備的薄膜性能最好。濺射氣壓太高或太低，都會導致薄膜的質量較差；0.45 Pa 時制備的薄