單晶硅太陽能電池鈍化接觸工藝的研究.pdf

1、鈍化接觸太陽能電池具有效率高、成本低、工藝簡(jiǎn)單且與現(xiàn)存的太陽能電池制造工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn)，因而成為提升單晶硅太陽能電池效率的有效途徑之一。但是要真正實(shí)現(xiàn)鈍化接觸太陽能電池的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化還需要對(duì)其工藝進(jìn)行優(yōu)化，尤其是鈍化接觸層的生長(zhǎng)工藝。鈍化接觸層的質(zhì)量直接影響電池的性能。
　　本文以開發(fā)鈍化接觸層制備工藝為目標(biāo)，在介紹鈍化接觸層工藝原理的基礎(chǔ)上，進(jìn)行了使用不同的工藝方法及參數(shù)制備硅太陽能電池鈍化接觸層實(shí)驗(yàn)。首先使用濕法化學(xué)和快速熱氧

2、化兩種方法制備超薄SiO2鈍化隧穿層，接著利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）在不同的工藝條件下進(jìn)行B摻雜非晶硅薄膜沉積實(shí)驗(yàn)，之后采用固相晶化法（SPC）進(jìn)行不同溫度的退火處理形成多晶硅，得到了系列實(shí)驗(yàn)樣品。利用橢圓偏振測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀、Raman散射光譜、X射線衍射儀和傅里葉變換紅外光譜儀（FTIR）等測(cè)試手段對(duì)實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行了表征，分析了不同工藝參數(shù)對(duì)超薄氧化層、多晶硅層鈍化與接觸性能的影響。得到了以下結(jié)果：
　　采

3、用濕法化學(xué)和快速熱氧化方法均可獲得具有良好鈍化和隧穿效果的SiO2層。采用濕法化學(xué)氧化時(shí)，用68wt％硝酸在其沸點(diǎn)反應(yīng)3min可制得具有較好鈍化接觸性能的氧化層；采用快速熱氧化方法時(shí)，在800℃氧化60s可獲得較為理想的氧化層。PFCVD法制備B摻雜非晶硅薄膜時(shí)，隨著摻雜濃度的増大，薄膜的電導(dǎo)率先增大后減小，在摻雜濃度為2%時(shí)達(dá)到最大值；退火處理會(huì)對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性產(chǎn)生重大影響，隨著退火溫度的升高，薄膜的結(jié)晶度越高，電導(dǎo)率先增大