單晶硅的制備及其太陽(yáng)能電池中的運(yùn)用畢業(yè)論文

1、昆明學(xué)院2015屆畢業(yè)論文（設(shè)屆畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）計(jì)）論文（設(shè)計(jì)）題目論文（設(shè)計(jì)）題目單晶硅的制備及其在太陽(yáng)能電池中的運(yùn)用子課題題目子課題題目無(wú)姓名胡漸平學(xué)號(hào)201117030207所屬院系所屬院系物理科學(xué)與技術(shù)系單晶硅的制備及其在太陽(yáng)能電池中的運(yùn)用I摘要摘要本文研究單晶硅材料的制備及其在太陽(yáng)能電池中的運(yùn)用。制造太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體材料已知的就有十幾種，因此太陽(yáng)電池的種類也很多。硅材料分為單晶硅、多晶硅、鑄造硅以及薄膜硅等許多形態(tài)。雖然形態(tài)

2、不一制作方法不盡相同，但是實(shí)現(xiàn)的目的是一樣的。都是盡可能多的將太陽(yáng)光的光能轉(zhuǎn)化為電能，硅是地球上儲(chǔ)藏最豐富的元素之一。目前作為單晶硅的制備方法分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ），并且這兩種方法是工業(yè)上運(yùn)用最廣的方法。從多晶硅中提煉出單晶然后通過(guò)拉硅單晶棒、切割得到單晶硅圓片再經(jīng)過(guò)刻蝕最后生產(chǎn)成太陽(yáng)能電池組件。生產(chǎn)過(guò)程大致可分為五個(gè)步驟：（a）提純過(guò)程（b）拉棒過(guò)程（c）切片過(guò)程（d）制電池過(guò)程（e）封裝過(guò)程。本文就單晶硅的制備和在太陽(yáng)能

3、電池中的運(yùn)用略作討論。本文中提高單晶硅太陽(yáng)能電池的絨面工藝及電化學(xué)刻蝕工藝的原理及應(yīng)用于太陽(yáng)能電池中對(duì)效率所帶來(lái)的影響的研究。單晶硅太陽(yáng)能電池是以高純的單晶硅棒為原料的太陽(yáng)能電池，是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽(yáng)能電池。它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。采用的來(lái)提高單晶硅太能電池效率的各種理論研究，首先采用了電化學(xué)刻蝕工藝和絨面工藝兩者對(duì)太陽(yáng)能電池效率的影響，從理論上的結(jié)果來(lái)看采用兩者工藝結(jié)合所形成的抗反射層可以使太陽(yáng)能電池

4、的平均反射率降到2％，并進(jìn)一步研究了在電化學(xué)刻蝕中各種參數(shù)對(duì)太陽(yáng)能電池表面形貌的影響。此外，論文還提出了另一種制備納米硅抗反射層的方法及其在太陽(yáng)能電池中的抗反射效果，研究發(fā)現(xiàn)這種制各納米硅抗反射層的方法十分簡(jiǎn)單，且能夠取得十分優(yōu)異的降低反射率的效果，并且采用結(jié)合絨面工藝的納米硅工藝所制得抗反射膜可以使得太陽(yáng)能電池表面的反射率降到1％左右，甚至優(yōu)于電化學(xué)刻蝕工藝和絨面工藝兩者的結(jié)合。關(guān)鍵詞：?jiǎn)尉Ч瑁粏尉?yáng)能電池；絨面工藝；電化學(xué)刻蝕工藝