黑硅太陽能電池的工藝研究.pdf

1、當前，為了降低生產(chǎn)成本，硅片薄片化成為晶體硅太陽能電池的發(fā)展趨勢之一。硅片變薄時，對光吸收和鈍化的要求非常嚴格，特別是在鈍化效果較好時，光吸收就成為了制約電池效率提升的關鍵因素。因此，需要最大限度地增加硅基體對光線的吸收以提高太陽能電池的轉換效率。文中制備的黑硅硅片在300～1100nm光譜范圍內(nèi)對入射光能達到95％的吸收率。
　　本文利用等離子體侵沒離子注入技術制備多晶黑硅，其原理為將硅片直接浸沒在等離子體中，然后在硅片上施加負

2、偏壓，由于在硅片表面形成鞘層，所以硅片表面各處將同時被注入反應離子，并與硅片發(fā)生反應形成黑硅。本文采用自主搭建的等離子體侵沒離子注入系統(tǒng)，研究出了一套制備黑硅硅片的最佳工藝，并初步實現(xiàn)了黑硅硅片的低成本批量制造;之后，將制備好的黑硅硅片做成太陽能電池，其開路電壓、短路電流和填充因子分別為0.625V，8.750A和79.116％，轉換效率可達17.79％，比常規(guī)太陽能電池轉換效率高0.3％。
　　由于黑硅硅片的納米結構，使得硅片具