硅太陽能電池關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、21世紀以來,全球范圍內(nèi)的傳統(tǒng)能源迅速短缺和環(huán)境污染日益嚴重,這兩個問題成為了制約經(jīng)濟發(fā)展的主要問題。太陽能作為一種清潔、無污染的新能源,早已走進了人們的視野,太陽能發(fā)電及光伏產(chǎn)業(yè)近來受到了人們的高度重視。太陽能電池是利用光生伏特效應(yīng)直接把太陽能轉(zhuǎn)換成電能的一種器件。太陽能電池主要有塊狀太陽能電池和薄膜型太陽能電池兩大類,其中硅太陽能電池又可分為單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池等。硅太陽能電池由于其轉(zhuǎn)換效率比較高、性能穩(wěn)定、原材料豐富

2、等優(yōu)點成為當今光伏產(chǎn)業(yè)中的重要支柱。但是與傳統(tǒng)能源水電、火電等相比,硅太陽能電池的成本還是比較高的,所以降低硅太陽能電池的成本和提高硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率是研究硅太陽能電池的主要出發(fā)點,要求在降低成本的同時,保持轉(zhuǎn)換效率不變甚至提高,本課題的研究重點也在降低成本和提高轉(zhuǎn)換效率這兩個方面展開。 本研究在單晶硅太陽能電池的制作工藝中,采用LPCVD方法來生長一層納米多晶硅薄膜,利用納米多晶硅薄膜材料與單晶硅襯底形成異質(zhì)結(jié),將此異質(zhì)結(jié)

3、結(jié)構(gòu)應(yīng)用在太陽能電池上,在對制得的納米多晶硅薄膜采用SEM、XRD、Raman、AFM進行形貌分析的基礎(chǔ)上,得出納米多晶硅薄膜的厚度為50nm,晶粒大小約為90nm,對研制的納米多晶硅/單晶硅電流—電壓(I—V)特性和溫度特性進行測量和分析,實驗結(jié)果表明該異質(zhì)結(jié)具有很好的溫度系數(shù),對制備的納米多晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方塊電阻、少子壽命、折射率、反射率、轉(zhuǎn)換效率進行了測試和分析,轉(zhuǎn)換效率為13.3%。研究表明,采用納米多晶硅/單晶

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