物理多晶硅太陽電池表面織構(gòu)與減反射膜匹配性能研究.pdf

1、經(jīng)過長時(shí)間的研究，太陽電池工藝日益進(jìn)步，效率穩(wěn)步提高。多晶硅太陽電池憑借較單晶硅太陽電池更低廉的成本和相對簡單的制作工藝得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)在工業(yè)上多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達(dá)到了18％左右。本文主要研究了物理多晶硅太陽電池表面織構(gòu)的制備和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法鍍減反射膜，以及表面織構(gòu)和SiNx薄膜性能的匹配。
　　本文采用酸腐蝕制備表面織構(gòu)，通過改變酸溶液HF與HNO3的配比和傳送速度即腐蝕時(shí)間，尋找與等離

2、子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備的SiNx薄膜性能最匹配的工藝方案。對分別經(jīng)過物理吸雜法、化學(xué)法處理的多晶硅片在制備表面織構(gòu)和鍍減反射膜后進(jìn)行反射率的測量，并擬合了酸溶液HF與HNO3的配比分別在1∶4.5，4.75，5，5.25，5.5和傳送速度分別在1.1，1.2，1.3，1.4m/min情況下的反射率曲線，結(jié)果表明:物理吸雜法處理的多晶硅片在酸溶液配比HF∶ HNO3為1∶4.75，傳送速度為1.4m/min的條件下制備的表面織構(gòu)和PEC