Ge基CdSe異質結納米線的制備、振動和熒光特性的研究.pdf

1、Ge基異質結納米線的尺寸、形貌和結構等對其性能有著十分重要的影響，研究它們之間的內在聯(lián)系已經成為現(xiàn)代納米材料領域的熱點之一。該材料在光學、光電子學及集成電路領域，有著非常重要的應用前景。本論文主要研究了Ge基CdSe異質結納米線的可控合成、生長機理、振動和熒光特性。
　　1.可控制備了兩種不同結構的Ge基異質結納米線。采用基于VLS生長機理的化學氣相沉積(CVD)方法，熱蒸發(fā)CdSe與Ge粉末，在不同的沉積位置制備出了兩種不同形貌

2、的Ge基異質結納米線:第一種為CdSe-Ge并軸異質結，第二種為Ge納米線表面修飾有CdSe顆粒的異質結納米線。在實驗和理論模擬的基礎上，提出了基于共生的可能生長機理。由于Ge的升華溫度較CdSe低，Ge納米線優(yōu)先生長，CdSe就會在Ge表面能低的(111)面外延生長，形成CdSe-Ge并軸異質結納米線。當CdSe過量時，就會在低溫沉積位置形成Ge納米線表面修飾有CdSe顆粒的異質結納米線。
　　2.單根異質結納米線的振動特性。將

3、制備出的樣品分散到酒精中，然后滴在石墨/金襯底上，在室溫下測試單根異質結納米線拉曼光譜。CdSe-Ge并軸異質結中Ge的振動峰相對于Ge納米線發(fā)生5cm-1的紅移，歸結為界面處的晶格失配。同樣的晶格失配也導致了CdSe峰相對強度的急劇下降，倍頻光學聲子模(2LO)的強度非常弱。對于Ge納米線表面修飾有CdSe顆粒的異質結納米線，CdSe的光學振動模(TO)從174.5cm-1紅移至162cnm-1，在該結構中并沒有觀測到Ge的振動峰。C

4、dSe的縱向光學聲子模（Longitudinalopticalmode，LO）與Ge的光學振動模相互作用疊加出現(xiàn)了一個位于272cm-1的新的振動模，是由于表面覆蓋層有相對低的介電常數增加了原子間的庫侖力并降低了晶格的振動頻率。
　　兩種結構的異質結納米線的熒光特性。CdSe-Ge并軸納米線的發(fā)射帶與CdSe納米帶的發(fā)射帶相比，發(fā)生紅移，是由于體材料的缺陷及界面處形成大量的懸掛鍵使得其發(fā)光效率降低。Ge納米線表面修飾有CdSe顆粒