一維ZNSE納米米線及納米帶的振動特性研究.pdf

1、一維納米材料由于其特殊而優(yōu)異的光電性能和在納米光電子器件領域的潛在應用而受到人們的廣泛關注。影響其優(yōu)異光電性能的因素有很多如材料結構、形貌、缺陷、晶格振動等，其中材料的晶格振動和光電特性密切相關，對材料的物性甚至基于材料的器件的性能都有著很重要的影響。晶格振動也是研究固體宏觀性質和微觀過程的重要基礎；而拉曼散射是研究晶格振動特性十分重要的手段。通過拉曼光譜可以得到材料的對稱性，組分，晶格動力學，結構相變，應力以及態(tài)密度等信息。
　

2、　本論文以ZnSe，Ge,CdSe為原材料，通過一步熱蒸發(fā)法分別制備出ZnSe納米線、ZnSe納米帶、Ge/GeSe異質結納米線，并用變溫拉曼譜研究其振動特性。
　　本文主要的內容如下：
　　1.闡述了拉曼光譜的基本原理，綜述了它在在一維納米線的振動特性研究的進展。
　　2.以ZnSe粉末為原材料，利用一步熱蒸發(fā)法合成了ZnSe納米線，利用變溫拉曼譜研究其振動特性。結果發(fā)現(xiàn)，ZnSe納米線的TO和L0振動模都隨著溫度的

3、升高出現(xiàn)紅移和展寬。一些倍頻聲學模式和多聲子散射模式僅在高溫下出現(xiàn)。TA(L)模的散射強度隨溫度的升高而升高，而表面模在溫度高于296K時消失。
　　3.在上述工作的基礎上，以ZnSe粉末為原材料，也制備出ZnSe納米帶。建立了Gmneisen常數(shù)與振動模式之間的定量關系，得出ZnSe納米帶的Gmneisen常數(shù)。進一步計算得出ZnSe納米帶的熱膨脹系
　　4.以Ge和CdSe(或ZnSe)粉末為原材料，合成了Ge/GeSe