硅納米線的機電特性研究.pdf

1、納機電諧振器的應用十分廣泛，有關其驅動檢測和加工工藝及其隨著特征尺寸進一步減小以至接近量子極限而進行的研究已成為該領域的熱點之一。
　　 隨著納機電諧振器的進一步發(fā)展，其特征尺寸在由納米梁減小到納米線時會導致目前應用的驅動檢測方法遇到了困難，而基于場效應檢測的方法不以諧振器尺寸的減小而改變，是一種新型有效的針對硅納米線振動進行檢測的方法。在該方法中MOSFET的溝道會受到機械應力尤其是大的彎曲變形時出現(xiàn)的GPa級應力等外部環(huán)境影

2、響，因此關于應力等對納米薄膜MOSFET特性影響的研究就十分必要?，F(xiàn)有的硅納米線的制作方法存在工藝復雜或者成本昂貴等問題，發(fā)展新的工藝簡單、尺寸易于控制的硅納米線加工工藝是納機電諧振器發(fā)展中必須解決的問題。同時，隨著納機電諧振器特征尺寸的進一步減小以及發(fā)展高精度傳感器的需要，其檢測位移的變化量已接近由海森堡測不準原理所決定的量子極限，而研究如何利用量子壓縮效應來減小納機電諧振器尤其是納米線諧振器的量子噪聲已成為必需。
　　 本論

3、文以傳統(tǒng)MEMS工藝結合SOI-MOSFET制造工藝加工出有納米薄膜SIO-MOSFET的NEMS器件，并基于此研究了機械應力尤其是GPa級大應力等對納米薄膜MOSFET特性的影響；研究了硅納米線加工工藝并發(fā)現(xiàn)了一種新的硅納米針制作方法；對典型的硅納米梁/納米線諧振器和以石墨烯(graphene)為基礎的亞納米級諧振器的量子壓縮效應進行了系統(tǒng)的理論分析。
　　 本論文的主要創(chuàng)新性工作及成果包括以下三個方面：
　　 (1)

4、基于MEMS工藝和納米SOI-MOSFET制造工藝，加工得到可用于研究包括GPa級的機械應力等對納米薄膜SOI-MOSFET特性影響的NEMS器件。對加工出的器件進行了與溝道方向平行和垂直時的定量機械應力、GPa級大應力以及梁斷裂對納米薄膜MOSFET特性的影響。研究發(fā)現(xiàn)由于作為MOSFET溝道的納米薄膜中寄生電阻的影響導致論文中測出的MOSFET溝道等效壓阻系數(shù)比目前報道的結果小很多。同時，研究發(fā)現(xiàn)納米薄膜MOSFET的溝道受到接近1

5、 GPa的平行方向應力會使其跨導減小約76％，該應力釋放后器件的跨導仍比施加應力前減少了約2％；而與溝道方向垂直的應力達到2 GPa時，MOSFET的跨導增加了197％，該應力釋放后其跨導依然比施加應力前增加了150％，論文對上述現(xiàn)象進行了分析。同時，論文研究了納米薄膜MOSFET在溫度范圍為-60℃～200℃時的工作特性。
　　 (2)在研究硅納米線的加工工藝中發(fā)現(xiàn)了一種利用MEMS TMAH各向異性腐蝕的新型的硅納米針制作方

6、法。該方法中的核心技術是基于硼注入導致硅的腐蝕速率下降的濃硼自停止腐蝕原理?；诖税l(fā)展了一套制作成本低廉、重復性高、易于控制、與IC工藝兼容并可以批量制作的硅納米針加工工藝。實驗中得到的硅納米針具有很高的縱橫比且其針尖角度θ最小可以達到2.9°。論文對硅納米針的腐蝕過程進行了詳細的理論分析并建立了腐蝕模型，對基于模型得到的結果與實驗結果進行了對比分析。
　　 (3)給出了基于時間相關的pump技術的可應用于減小納機電諧振器量子噪

7、聲的量子壓縮方法，理論分析了該方法的可行性并與傳統(tǒng)的方法進行了對比。對典型的硅納米梁諧振器和硅納米線諧振器的位置不確定度即量子噪聲及其量子壓縮效應進行了系統(tǒng)研究分析，研究發(fā)現(xiàn)在T=50 mK、V=4 V、L=6μm、W=20 nm、h=12 nm時，硅納米線諧振器的量子壓縮系數(shù)R可以達到0.1184，即量子噪聲可被減小18.54 dB。研究了只有一層和幾層原子的國際上已制作出的亞納米級石墨烯諧振器的量子噪聲以及量子壓縮效應，為發(fā)展高精度

8、亞納米級傳感器分析了應變對這兩者的影響。研究發(fā)現(xiàn)典型的單層graphene納機電諧振器在T=5 K，V=2 V，L=1.8μm，W=0.2μm，時，壓縮系數(shù)R便可以達到0.2858，即量子噪聲被減小了10.88 dB；T=50 mK，V=4 V，L=1.8μm，W=0.2μm，時，有R=0.0143，即量子噪聲被減小了36.90 dB。同時，論文的上述研究工作為實驗室階段能夠在納機電諧振器中觀測到真實的量子壓縮態(tài)及壓縮效應提供了理論基礎