原電池法制備硅納米線的研究.pdf

1、硅納米線是目前一種比較新型的一維半導體納米材料,由于其自身的電、光學等特性引起了科學界眾多研究者的廣泛關(guān)注。電鏡、拉曼光譜、能量色散X射線分析(EDS)等方法都是有效地表征硅納米線的手段。近年來硅納米線在合成其他納米材料的模板方面及高性能場效應晶體管、場發(fā)射顯示器等許多納米器件的應用方面的研究已經(jīng)取得了顯著成果,使得硅納米線可能成為納米電子學領(lǐng)域的一種非常有潛力的材料。
　　 本文采用的是原電池兩步法制備硅納米線,這是一種在前人

2、的基礎(chǔ)上采用的較新的方法。與其他方法相比,原電池兩步法不需要外接電源,操作簡單,對環(huán)境要求不高,并且成本較低,刻蝕速度快,附著較容易。本文研究了兩步法制得的樣品的形貌結(jié)構(gòu),對它的光致發(fā)光現(xiàn)象進行了分析。并且文中還嘗試采用鉑硅原電池法、鎳硅原電池法和光照法制備硅納米線,與兩步法制成的樣品進行簡單的比較。并且對不同濃度刻蝕液做出的樣品形態(tài)作了簡單觀察,分析了這些因素對實驗的影響。如果刻蝕的時間足夠長,硅基會被穿透,并且最終被完全溶解。將制得