硅納米線的制備及光學性能研究.pdf

1、硅的納米結構是一種優(yōu)異的半導體材料，具有化學、物理及力學等性能。它的光致發(fā)光性能使得硅納米結構的光集成電路有望成為現(xiàn)實。本文對金屬輔助化學法制備硅納米線結構進行了研究，并對硅納米線陣列的光學性質(zhì)進行了探討，主要工作如下:
　　 1.采用化學刻蝕法制備硅納米線陣列，通過改變反應溶液的濃度，刻蝕時間，刻蝕溫度等參數(shù)，獲得制備硅納米線陣列的最佳參數(shù)?；诖?，對化學刻蝕法的機理進行了分析，并得到了一種制備硅納米孔洞的方法。
　　

2、 2.對硅納米線陣列的簇狀結構的形成進行了分析，認為穩(wěn)定性是簇狀結構形成的重要決定因素。
　　 3.晶體硅是間接帶隙半導體，不能發(fā)光，而硅納米線陣列結構是直接帶隙半導體，有良好的光學性質(zhì)，通過掃描電鏡以及熒光光譜儀等的測試，對硅納米線陣列發(fā)發(fā)光的機理進行了探討。
　　 4.紫外可見分光光度計對硅納米線陣列和硅納米孔洞結構的測試，發(fā)現(xiàn)硅的納米結構具有很好的減反射效果，我們對此進行了分析，這種性質(zhì)有望在光伏產(chǎn)業(yè)方面有很好的應