APCVD法制備硅化鈦納米線、薄膜及其性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、跨入21世紀(jì)隨著平板顯示技術(shù)(FPD)飛速發(fā)展，需要更低電阻率的材料作為FPD薄膜晶體管的接觸電極，以提高響應(yīng)速率、降低功耗。傳統(tǒng)的場致發(fā)射平板顯示器(FED)的微尖錐場發(fā)射體制作成本高、易與環(huán)境氣體反應(yīng)，限制了其工業(yè)化。采用低成本的方法在玻璃上制備高導(dǎo)電性的硅化鈦薄膜并在薄膜層上生長納米線能夠有效的解決這些問題，極大的推動平板顯示技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。 本論文采用常壓化學(xué)氣相沉積法(APCVD)以SiH4和TiCl4為前驅(qū)體在玻璃襯

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