31179.apcvd法硅化鈦薄膜的性能研究

1、分類號(hào)：密級(jí)：UDC：學(xué)號(hào)：415819311063南昌大學(xué)專業(yè)學(xué)位研究生學(xué)位論文APCVD法硅化鈦薄膜的性能研究法硅化鈦薄膜的性能研究PropertiesofTitaniumSilicideThinFilmsDepositedbyAPCVD余雁斌培養(yǎng)單位（院、系）：環(huán)境與化學(xué)工程學(xué)院指導(dǎo)教師姓名、職稱：杜軍副教授指導(dǎo)教師姓名、職稱：徐向勤高級(jí)工程師專業(yè)學(xué)位種類：工程碩士專業(yè)領(lǐng)域名稱：化學(xué)工程論文答辯日期：2014年5月26日答辯委員會(huì)

2、主席：評(píng)閱人：2014年月日摘要I摘要隨著國(guó)家節(jié)能減排政策的不斷推行以及人們環(huán)保意識(shí)的不斷增強(qiáng)，低輻射鍍膜玻璃作為建筑門窗使用已引起了廣泛的關(guān)注。本課題采用APCVD法，以SiH4和TiCl4為反應(yīng)前驅(qū)體在玻璃基板上分別制備了TiSi2、Ti5Si3單層薄膜。利用X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)（UVVis）、U－4100型分光光度計(jì)、FTIRNicolet5700型傅里葉紅外光譜儀、四探針電阻測(cè)試儀等

3、測(cè)試手段研究了SiH4TiCl4摩爾比、反應(yīng)溫度及沉積時(shí)間三個(gè)工藝參數(shù)對(duì)薄膜性能的影響。研究結(jié)果表明：1、SiH4TiCl4摩爾比為1、2時(shí)，制備得到Ti5Si3薄膜，其中SiH4TiCl4摩爾比為2時(shí)制備得到的Ti5Si3薄膜晶相顆粒之間堆積更致密，因而薄膜可見(jiàn)光透射率更低；單位膜厚的晶相含量更低，所以薄膜方塊電阻更低、紅外反射率更高。SiH4TiCl4摩爾比為3、4、5時(shí)，制備得到C54相TiSi2薄膜，隨著SiH4TiCl4摩爾比

4、的升高，晶相顆粒之間堆積越來(lái)越疏松，因而薄膜可見(jiàn)光透射率逐漸升高；單位膜厚的晶相含量逐漸降低，所以薄膜電阻率逐漸增大、紅外反射率逐漸降低。2、隨著反應(yīng)溫度逐漸升高，晶相顆粒堆積密度逐漸增大，單位膜厚的晶相含量逐漸增多，薄膜電阻率逐漸降低，所以紅外反射率逐漸增大，可見(jiàn)光透射率逐漸降低；當(dāng)反應(yīng)溫度過(guò)高時(shí)，晶相成核速率降低，生長(zhǎng)速率增加，導(dǎo)致形成大的晶相顆粒，晶相顆粒之間的空隙率增大，單位膜厚晶相含量減少，薄膜電阻率會(huì)升高，因而可見(jiàn)光透射率升

5、高，紅外反射率會(huì)降低。當(dāng)反應(yīng)溫度為720℃時(shí)，Ti5Si3晶相結(jié)構(gòu)完善，堆積致密，此時(shí)Ti5Si3薄膜的電阻率最低，紅外反射率達(dá)到最高；反應(yīng)溫度為700℃時(shí)，TiSi2薄膜的電阻率最低，紅外反射率達(dá)到最高。3、隨著沉積時(shí)間的逐漸增加，晶相顆粒的堆積密度逐漸增加，薄膜電阻率逐漸降低，因而紅外反射率逐漸升高；當(dāng)沉積時(shí)間過(guò)大時(shí)，薄膜在原有致密均勻的晶相表面，因晶體的各向異性，晶相顆粒在特定方向不斷生長(zhǎng)成大尺寸晶相結(jié)構(gòu)，薄膜晶相顆粒之間的空隙率