硅[111]納米線的電、熱學性能研究.pdf

1、為了深入地了解硅納米線的物理性能，我們研究了硅納米線的結構、穩(wěn)定性及電、熱學性質(zhì)，得到了一些有意義的結果。本論文首先對于硅納米線的研究現(xiàn)狀，包括結構、制備表征、物理性能與應用前景進行了系統(tǒng)的評述。在此基礎上，通過構建結構模型并選用合適的研究方法，如密度泛函理論、晶格動力學理論等，研究了硅納米線的電、聲子結構、熱學性質(zhì)，探討了硅納米線的結構穩(wěn)定性，考察了物理性能與結構參數(shù)之間的關聯(lián)特征，并研究了物理機理。本文的安排如下：
　　 （

2、1）第一章，闡述了硅納米線的研究背景和歷史，以及硅納米線的制備方法，并對其物理性能和應用前景做了簡要介紹。
　　 （2）第二章，介紹了基于密度泛函理論的VASP軟件的基本理論，結構和使用方法。通過靜水壓下單壁碳納米管的電學性質(zhì)的計算熟悉了該軟件的使用。另外，簡要介紹了傳統(tǒng)的晶格動力學理論，推導了動力學矩陣的基本公式。
　　 （3）第三章，采用VASP軟件優(yōu)化了不同橫截面形狀的硅[111]納米線，比較了硅納米線的穩(wěn)定性，并

3、計算了硅納米線的電子結構。相對來講，六邊形橫截面的硅納米線具有更高的穩(wěn)定性。隨著直徑的增加，硅納米線的結合能逐漸趨近于硅塊體的結合能。相比于優(yōu)化前的結構，優(yōu)化后的硅納米線的直徑和軸向尺寸略微有所降低。另外，小尺寸硅納米線具有金屬性特征，費米面附近的導帶電子態(tài)的電荷密度主要來源于左右兩邊的四個角上的原子，而價帶電子態(tài)的電荷密度則來源于上下兩個角上的原子。
　　 （4）第四章，基于分子動力學模擬和晶格動力學理論，采用Stilling

4、er-Weber勢模型計算了硅納米線的結構、聲子色散關系、聲子態(tài)密度和比熱。計算結果表明，采用F.H.Stillinger和T.A.Weber 提出的SW 勢優(yōu)化的NL=4 硅納米線具有較大的表面重構，并存在一個3 次旋轉(zhuǎn)軸，這與使用密度泛函理論計算得到的結果一致。對于NL=7 硅納米線，體內(nèi)原子具有類似于硅塊體的正四面體排布而表面原子偏離這一排布。在低頻段，SW 勢能夠產(chǎn)生4個聲學支，這與其他研究者計算的[011]和[111]硅納米線