納米銀修飾硅納米線(xiàn)陣活性基底的SERS研究.pdf

1、拉曼光譜技術(shù)可以檢測(cè)分析物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)以及組成信息，作為一項(xiàng)檢測(cè)技術(shù)，具有靈敏度高、對(duì)樣品無(wú)損害的特點(diǎn)，在生物信息、化學(xué)、環(huán)境等各大領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，表面增強(qiáng)拉曼光譜技術(shù)得以發(fā)現(xiàn)并迅速發(fā)展起來(lái)，擴(kuò)寬了拉曼光譜的應(yīng)用范圍。
　　論文綜述了拉曼光譜的原理、理論解釋以及應(yīng)用技術(shù)，重點(diǎn)介紹了表面增強(qiáng)拉曼光譜技術(shù)，對(duì)其增強(qiáng)機(jī)理進(jìn)行了解釋?zhuān)容^了幾種SERS活性基底的應(yīng)用現(xiàn)狀。拉曼增強(qiáng)的關(guān)鍵是活性基底的作用，研究設(shè)計(jì)新的

2、活性基底是SERS的一個(gè)重要內(nèi)容，這有助于探索SERS增強(qiáng)機(jī)理，更好的運(yùn)用拉曼技術(shù)于科學(xué)領(lǐng)域。
　　本文先研究了化學(xué)濕法刻蝕硅納米線(xiàn)的實(shí)驗(yàn)，研究納米線(xiàn)生長(zhǎng)情況隨刻蝕時(shí)間的變化，發(fā)現(xiàn)硅納米線(xiàn)刻蝕過(guò)程中在縱向刻蝕的同時(shí)伴隨著橫向刻蝕，隨著刻蝕時(shí)間的延長(zhǎng)，納米線(xiàn)的長(zhǎng)度在增加，一定面積內(nèi)的納米線(xiàn)個(gè)數(shù)會(huì)先增加后減少。接著以硅納米線(xiàn)為模板設(shè)計(jì)了一種新型的SERS活性基底(Ag/SINWs)，硅納米線(xiàn)是一種半導(dǎo)體納米材料，本身就具有一定的拉曼增

3、強(qiáng)效果，在納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)上修飾以紫外光誘導(dǎo)還原的納米銀粒子，以R6G為探針?lè)肿觼?lái)檢測(cè)其增強(qiáng)效果。
　　硅納米線(xiàn)的特殊結(jié)構(gòu)使得這種基底上容易形成納米銀粒子低聚體，有利于形成增強(qiáng)“熱點(diǎn)”。研究表明Ag/SINWs活性基底能清晰的檢測(cè)出10-9mol/L濃度的R6G的特征譜，并且具有良好的SERS效應(yīng)均勻性和可重復(fù)性，在室溫條件下存放30天后對(duì)于10-7mol/L濃度的R6G依然能檢測(cè)出特征峰。所以Ag/SINWs活性基底具有增強(qiáng)活性好、增