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文檔簡介
1、鑒于應變硅技術在當今集成電路領域的廣泛應用，本論文利用基于密度泛函理論的第一性原理計算集中研究了應力對體硅和硅納米線物理、電學特性的影響。首先，我們計算了體硅在靜水壓、雙軸應力和單軸應力下的能帶結構、導帶底能量分裂和帶隙值。根據能帶結構，我們得到電子和空穴的有效質量，進而求得電子和空穴的電導率有效質量。結果表明靜水壓對電子電導率有效質量影響最大，對空穴電導率有效質量影響卻最小。
其次，通過帶隙和有效質量的改變，我們分析了應力對
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