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
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文檔簡介
1、一維和準(zhǔn)一維半導(dǎo)體納米材料,比如納米線、納米棒、納米管,由于在納米級的晶體管、傳感器及光電子器件中具有潛在的應(yīng)用價值而引起了人們廣泛的研究和關(guān)注。本論文采用化學(xué)氣相沉積方法合成了ZnTe/ZnSe一維半導(dǎo)體納米材料,包括ZnTe單晶納米線,ZnTe孿晶納米帶,以及ZnTe納米葉、納米線陣列、納米樹、納米花等新穎的形貌結(jié)構(gòu)。詳細(xì)討論了單晶ZnTe納米線和孿晶ZnTe納米帶的結(jié)構(gòu)特征與區(qū)別,分析了ZnTe納米帶中孿晶的形成機(jī)理。單晶的ZnT
2、e納米線顯示了高純度,其長度可達(dá)幾百微米。交替的孿晶在ZnTe納米帶結(jié)構(gòu)中出現(xiàn),并且生長方向沿著(111)。通過在掃描近場光學(xué)顯微鏡下對樣品的光致發(fā)光性質(zhì)研究發(fā)現(xiàn),我們觀察到在增加激發(fā)功率時,納米線和納米帶的光致發(fā)光光譜強(qiáng)度增加而且光譜都發(fā)生了紅移。紅移度的區(qū)別與納米線及納米帶的晶體結(jié)構(gòu)有關(guān),納米線的光致發(fā)光光譜紅移是由于帶隙重正化效應(yīng),而電子空穴等離子體效應(yīng)加劇了孿晶結(jié)構(gòu)納米帶光致發(fā)光光譜的紅移。我們期待ZnTe納米結(jié)構(gòu)的這些光學(xué)性質(zhì)
3、會使其在未來的納米器件設(shè)計中找到相應(yīng)的應(yīng)用。此外,我們通過簡單的化學(xué)氣相沉積方法合成了ZnSe納米線和納米帶。實驗表明,這種方法合成的ZnSe納米線和納米帶均為單晶的閃鋅礦結(jié)構(gòu)。我們詳細(xì)研究了室溫下ZnSe納米線和納米帶的光致發(fā)光光譜。在增加激發(fā)功率時,兩種形貌的PL譜都產(chǎn)生了輕微紅移。紅移的原因歸結(jié)于激子、載流子相互作用的增強(qiáng)而產(chǎn)生的帶隙重正化效應(yīng)。我們認(rèn)真研究了ZnSe納米線和納米帶的光波導(dǎo)行為。實驗表明,在光波導(dǎo)過程中,發(fā)光光譜產(chǎn)
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