ZnTe基和ZnSe基復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì).pdf

1、本論文利用瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)光譜技術(shù)研究了ZnTe基復(fù)合量子阱結(jié)構(gòu)和ZnSe基量子點(diǎn)/量子阱復(fù)合結(jié)構(gòu)中的激子隧穿和復(fù)合過程。取得了如下結(jié)果： 1、利用泵浦-探測方法研究了了ZnTe/SeZnTe量子阱中的載流子動力學(xué)過程，表明ZnSeTe層對載流子具有很強(qiáng)的限制作用。在此基礎(chǔ)上，研究了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe復(fù)合量子阱中的載流子動力學(xué)過程，發(fā)現(xiàn)由于在CdZnTe量子阱旁加入了ZnSeTe量子阱層使得CdZnTe中載流子的

2、衰減時間大大縮短，證明在該復(fù)合結(jié)構(gòu)中存在著從CdZnTe阱向ZnSeTe阱的高效率激子隧穿，得到5.5ps快的隧穿時間。 2、研究CdSe量子點(diǎn)/ZnSe/ZnCdSe量子阱復(fù)合結(jié)構(gòu)中激子在量子阱與量子點(diǎn)間的隧穿過程。通過對不同壘厚的點(diǎn)/阱復(fù)合結(jié)構(gòu)發(fā)光特性測量，證實(shí)了該結(jié)構(gòu)中隧穿現(xiàn)象的存在。并利用泵浦-探測測量了阱中激子的衰減時間，最短可達(dá)1.8ps。研究壘層厚度變化對激子隧穿的影響。 3、通過變溫光譜測量，研究了在點(diǎn)/

3、阱復(fù)合結(jié)構(gòu)中，激子離化和激子隧穿激子復(fù)合過程中的作用。根據(jù)量子點(diǎn)和量子阱中激子輻射躍遷強(qiáng)度、峰位、線寬隨溫度的變化關(guān)系，討論了激子隧穿對量子點(diǎn)中激子發(fā)光的影響，從而進(jìn)一步認(rèn)識這種復(fù)合結(jié)構(gòu)的發(fā)光機(jī)理。 另外，在一種具有3C-和6H-SiC交替生長的納米層狀結(jié)構(gòu)的SiC納米棒中觀察到較強(qiáng)的紫外發(fā)射。利用時間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)手段對發(fā)光壽命進(jìn)行測量，得到較快得發(fā)光衰減時間(～lns)。將發(fā)光機(jī)理歸結(jié)為由于量子限域效應(yīng)導(dǎo)致能帶結(jié)構(gòu)由間接帶隙