CdS納米線及其復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備和光學(xué)性質(zhì)研究.pdf

1、本文選擇硫化鎘(CdS)納米線、二氧化硅(SiO2)包覆CdS納米線組成的CdS-SiO2核殼結(jié)構(gòu)核殼結(jié)構(gòu)及CdS-SiO2核殼結(jié)構(gòu)與膠體金(Au)顆粒組成的CdS-SiO2-Au復(fù)合結(jié)構(gòu)為研究對象。CdS的禁帶寬度Eg為2.42eV,屬Ⅱ—Ⅵ半導(dǎo)體化合物,已被廣泛應(yīng)用于各種光電子器件中。但通?；瘜W(xué)方法合成的CdS納米線因直接暴露在空氣中而不穩(wěn)定,為了解決這個問題,薄的SiO2介電層被包覆在CdS納米線的表面,這樣極大地提高了CdS納米

2、線的穩(wěn)定性,從而進一步使它的光學(xué)性質(zhì)得到改善；膠體Au納米顆粒因為具有表面等離子體共振的優(yōu)異性能而受到了廣泛研究；核殼結(jié)構(gòu)集無機、有機、納米材料的諸多性質(zhì)于一體,可通過控制殼層的厚度來調(diào)控復(fù)合結(jié)構(gòu)的性能,因此在醫(yī)藥、非線性光學(xué)器件、電發(fā)光器件以及催化等方面顯示出誘人的應(yīng)用前景。本論文的研究內(nèi)容有如下三個方面:
　　 (1)采用半胱氨酸輔助溶劑熱法成功合成了大量長徑比大、尺寸均勻以及長度可觀的CdS納米線,分析了不同形貌的影響因素

3、后確定:這種情況只有在CdO、S和半胱氨酸的摩爾比例為1:1:1時才能得到。分析了和納米線可能的生長機理,同時對所得納米線的光學(xué)性質(zhì)進行了表征；
　　 (2)通過溶膠--凝膠法在CdS納米線表面包覆一層均勻的SiO2殼層形成CdS-SiO2核殼結(jié)構(gòu),分析了影響包覆厚度的各個因素,研究了其紫外一吸收光譜和光致發(fā)光性質(zhì)(PL)；
　　 (3)利用檸檬酸三鈉還原氯金酸法制備粒徑為15nm左右的Au溶膠,膠體Au的吸收峰在520