CdS及其摻雜納米結(jié)構(gòu)的制備與表征.pdf

1、基于半導(dǎo)體摻雜納米結(jié)構(gòu)能有效地改變半導(dǎo)體材料的電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)特性，近年來(lái)在制備與性能表征等方面的研究越來(lái)越被關(guān)注，其應(yīng)用價(jià)值也初步顯現(xiàn)。本論文旨在不同的溫度、載氣流速、基片位置等條件下制備CdS及其摻雜納米結(jié)構(gòu)，并對(duì)其進(jìn)行結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的表征，并對(duì)其生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了初步的探討，研究的內(nèi)容及取得的主要結(jié)果如下：
　　 1.從多組實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)看，在實(shí)驗(yàn)條件：反應(yīng)溫度900℃，反應(yīng)時(shí)間30分鐘，載氣流速300sccm和反應(yīng)溫度900℃，

2、反應(yīng)時(shí)間30分鐘，載氣流速400sccm狀態(tài)下，生成的CdS納米帶形貌均一，成分純凈，而且隨著基底位置離原料越來(lái)越遠(yuǎn)，納米帶的寬度越來(lái)越細(xì)，越趨于生成納米線(xiàn)。因此，通過(guò)多組實(shí)驗(yàn)我們可以推斷反應(yīng)溫度900℃，反應(yīng)時(shí)間30分鐘，載氣流速300-400sccm的條件，是該實(shí)驗(yàn)體系的最佳反應(yīng)條件。
　　 2.通過(guò)改變載流氣流速和基片位置，獲得了CdS/Cr(Sn)異質(zhì)結(jié)構(gòu)和摻雜結(jié)構(gòu)，并對(duì)其結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行表征。
　　 CdS和Cr

3、粉末的體系中，在350sccm載流氣流速下，獲得了CdS/Cr絮狀納米線(xiàn)異質(zhì)結(jié)構(gòu)，而在相對(duì)較慢的載流氣流速和較長(zhǎng)的反應(yīng)時(shí)間下，獲得了CdS/Cr鋸齒狀納米棒摻雜結(jié)構(gòu)。XRD表征結(jié)合選區(qū)電子衍射(SEAD)表明CdS/Cr絮狀納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)為六方晶型的CdS結(jié)構(gòu)和多晶Cr({110}，{200})結(jié)構(gòu)組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，對(duì)其進(jìn)行的PL性能測(cè)試顯示：在46.nm，51.nm和71.nm處有三個(gè)發(fā)射峰，分別對(duì)應(yīng)表面Cr顆粒引起的光發(fā)射，CdS的本征發(fā)

4、射峰以及由于CdS表面的缺陷所引起的發(fā)射峰；而CdS/Cr鋸齒狀納米棒結(jié)構(gòu)為六方晶型CdS結(jié)構(gòu)，因Cr元素的摻雜，晶型參數(shù)有稍微的偏移，其禁帶發(fā)射波長(zhǎng)也有稍微的藍(lán)移現(xiàn)象。
　　 另外在CdS和Sn粉術(shù)的體系中，在300sccm載流氣流速下，獲得了CdS/Sn齒狀納米棒異質(zhì)結(jié)構(gòu)，而在較長(zhǎng)的反應(yīng)時(shí)間條件下，獲得了CdS/Sn齒狀納米棒摻雜結(jié)構(gòu)。XRD表征表明CdS/Sn齒狀納米棒異質(zhì)結(jié)構(gòu)為六方晶型的CdS結(jié)構(gòu)和SnAu結(jié)構(gòu)組成的異質(zhì)