ZnTe及稀土摻雜ZnTe電子結構和電學性質的研究.pdf

1、結合CdS/CdTe太陽電池背接觸低阻的制備要求考慮，利用基于密度泛函理論平面波超軟贗勢方法和廣義梯度近似，計算了ZnTe、Gd摻雜ZnTe、Y摻雜ZnTe、La摻雜ZnTe、Nd摻雜ZnTe的能帶結構和電子態(tài)密度，并分析電子結構，結果表明，Y、La摻雜ZnTe電子有效質量減小，Gd、Nd摻雜ZnTe電子有效質量增大，Gd、Y、La摻雜可使載流子發(fā)生簡并，且載流子濃度數(shù)量級相近。幾何優(yōu)化后得到了Gd、Y、La、Nd摻雜ZnTe的晶格常數(shù)

2、，并分別計算了Gd、Y、La、Nd摻雜ZnTe與純ZnTe的晶格失配，發(fā)現(xiàn)Gd、Y、La摻雜后晶格常數(shù)均變大，晶格失配分別為13.5％、5.944%、23.4%，Nd摻雜后晶格常數(shù)變小，并且Nd摻雜ZnTe與純ZnTe晶格失配最小僅為4.03%。計算發(fā)現(xiàn)ZnTe導電類型為p型，稀土Y、Gd、La摻雜ZnTe導電類型改變?yōu)閚型，Nd摻雜ZnTe導電類型為強p型。
　　 采用雙源真空蒸發(fā)法制備ZnTe及Nd摻雜ZnTe薄膜，在150