摻雜鍺硅量子阱的電學(xué)性質(zhì)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文主要介紹了如下三個方面的內(nèi)容:1.利用導(dǎo)納譜研究了鍺硅量子阱的摻雜效應(yīng)。導(dǎo)納譜測出的不同摻雜濃度鍺硅量子阱重空穴基態(tài)能級的激活能的結(jié)果表明，對于相同組份的鍺硅量子阱，阱深隨著摻雜濃度的增加而變大，阱內(nèi)重空穴基態(tài)能級的激活能也隨之增加。2.在所加直流偏壓小于0.5伏時，所測得的重摻雜量子阱內(nèi)某激發(fā)態(tài)能級的激活能隨著偏壓的增加而變小。到直流偏壓增加到0.5伏以后，激活能并沒有隨之繼續(xù)變小，而是基本保持不變。3.利用導(dǎo)納譜研究了鍺硅量子阱

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