摻雜納米硅薄膜的制備及其光電學(xué)特性.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文利用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，以SiH4和H2作為反應(yīng)氣體源，用H2稀釋的PH3和B2H6作為摻雜劑，通過改變摻雜濃度、襯底溫度、SiH4濃度等工藝參數(shù)，在玻璃襯底上低溫制備了N型摻磷氫化納米硅(nc-Si(P):H和P型摻硼氫化納米硅( nc-Si(B):H)薄膜。利用一臺階儀測量了薄膜厚度，用Raman光譜儀、傅立葉紅外吸收光譜( FTIR)儀、紫外可見近紅外分光光度計(jì)(UV-VIS-NIR)、霍爾測試儀和

2、半導(dǎo)體分析測試儀對制備的薄膜樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征、組分分析和光電特性測試。實(shí)驗(yàn)研究了不同反應(yīng)參數(shù)對nc-Si(P):H和nc-Si(B):H薄膜的晶化率、光學(xué)帶隙和電導(dǎo)率的影響。結(jié)果表明，當(dāng)襯底溫度為250℃，射頻功率為60W，SiH4濃度為1.5%，PH3和B2H6濃度分別為1%和0.2%時(shí)，可以制備出性能較好的nc-Si(P)：H薄膜和nc-Si(B):H薄膜。其后，制備了一組不同i層厚度的ITO/p(nc-Si:)Hi(nc-Si:

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