納米復(fù)合摻雜氧化硅薄膜的光電特性及機(jī)理研究.pdf

1、本文對納米復(fù)合摻雜氧化硅薄膜的光電特性及機(jī)理進(jìn)行了研究。主要研究工作和研究結(jié)果如下： (1)采用復(fù)合靶磁控共濺射法制備了含納米碳粒和納米硅粒的氧化硅薄膜。測量得到隨著正向偏壓的增加，來自Au/C/SiO2/p-Si和Au/Si/SiO2/p-Si結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光峰位于650nm幾乎不移動。對Au/C/SiO2/p-Si和Au/Si/SiO2/p-Si結(jié)構(gòu)進(jìn)行了伏安特性的測量，發(fā)現(xiàn)二者都具有整流效應(yīng)。最后對兩種結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光機(jī)制進(jìn)行

2、了討論。 (2)采用射頻磁控濺射法制備了鍺/氧化硅納米多層膜，并對來自Au/鍺/氧化硅納米多層膜/p-Si結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光進(jìn)行了研究。測量到了來自Au/鍺/氧化硅納米多層膜/p-Si結(jié)構(gòu)的電致黃光發(fā)射，并發(fā)現(xiàn)該納米結(jié)構(gòu)具有整流特性。 (3)采用射頻磁控濺射方法在p-Si襯底上沉積了鍺/氧化硅和硅/氧化硅薄膜，并對Au/Ge/SiO2/p-Si結(jié)構(gòu)和Au/Si/SiO2/p-Si結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光作了比較研究，Au/Ge/SiO

3、2/p-Si和Au/Si/SiO2/p-Si結(jié)構(gòu)都具有整流效應(yīng)，且兩種結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光譜的發(fā)光峰位都在650～660nm附近，最后對兩種結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光機(jī)制進(jìn)行了討論。 (4)分別以鍺-氧化硅和碳-氧化硅復(fù)合靶作為濺射靶，采用射頻磁控共濺射技術(shù)在p型硅襯底上淀積了含納米鍺的氧化硅薄膜和含納米碳的氧化硅薄膜。將各樣品在氮?dú)夥罩薪?jīng)過600℃退火處理30分鐘，然后在p型硅襯底背面蒸鍍鋁電極，并經(jīng)過合金形成良好的歐姆接觸，最后在納米薄膜上蒸