半導體單量子阱中等離激元性質(zhì)的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩48頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、GaN材料是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,對它的研究與應(yīng)用是目前全球半導體研究的前沿和熱點。同時元激發(fā)的性質(zhì)是揭示電子.電子相互作用機制的重要理論根據(jù)。所以,對GaN材料的元激發(fā)性質(zhì)的研究顯得尤為重要。
　　 本論文中,在單量子阱的模型下,考慮到AlxGa1-xN-GaN界面處的極化效應(yīng),由自洽求解的方法得到系統(tǒng)的波函數(shù)和本征能量。
　　 基于無規(guī)相近似下的介電函數(shù)張量理論,在單電子哈密頓量的本征矢空間中推

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論