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文檔簡介
1、本工作利用密度矩陣理論研究了半導體量子阱在太赫茲場作用下的光吸收譜及帶問動力學過程；研究了直流電場和太赫茲場的作用下量子阱帶問光吸收譜。直流電場單獨作用時效果和太赫茲場單獨作用時類似，既吸收譜中出現(xiàn)激子峰;不斷增大強度，出現(xiàn)紅移現(xiàn)象;它們共同作用時，吸收譜中除了出現(xiàn)激子峰外，還出現(xiàn)復制峰，且太赫茲頻率決定著復制峰的位置和強度．還研究了在太赫茲場的作用下，非對稱雙量子阱的激子吸收。發(fā)現(xiàn)太赫茲場頻率時在低能端出現(xiàn)兩個復制峰，而高能端也出現(xiàn)兩
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