UHVCVD生長鍺硅薄膜及其電學(xué)性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著SiGe技術(shù)逐漸向超薄、低維材料方向發(fā)展，對鍺硅材料的生長提出了更高的要求。超高真空化學(xué)氣相沉積(UHVCVD)具有超凈的生長環(huán)境、能夠在低溫、低壓下生長鍺硅材料，可精確控制薄膜生長等優(yōu)點。是一種先進(jìn)的SiGe薄膜生長技術(shù)。采用該技術(shù)對較低溫度(＜600℃)下鍺硅薄膜生長及器件制備進(jìn)行了研究。包括鍺硅單層、多層結(jié)構(gòu)的外延生長、以及金屬誘導(dǎo)生長多晶鍺硅和肖特基二極管原型器件的制備。使用多種測試技術(shù)(HRXRD、SIMS、SEM、TEM

2、、Hall、I-V等)對薄膜形貌、晶體質(zhì)量以及電學(xué)性能進(jìn)行了測試分析。 采用自行研制的UHV/CVD-Ⅱ設(shè)備，成功地生長出高質(zhì)量SiGe/Si單層、多層外延層，測試結(jié)果表明獲得的多層外延SiGe/Si界面清晰、陡峭，各層組分和厚度均勻，周期性好；制備的SiGe/Si單層和多層結(jié)構(gòu)Au肖特基二極管原型器件，器件高頻性能較好，研究了Si頂層和處理工藝對其電學(xué)特性的影響。 采用金屬誘導(dǎo)與UHVCVD技術(shù)相結(jié)合在500℃左右生長

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