已閱讀1頁,還剩51頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀
版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、本文研究了Al/Al2O3/Si和Al/HfAlO/Si型的金屬-氧化物-半導體(MOS)電容的電學特性。通過深能級瞬態(tài)譜(DLTS)和高頻電容-電壓(CV)測試,并配合理論模擬,對樣品的界面特性和退火特性進行了系統(tǒng)的研究。主要結果包括:⑴通過對Al2O3樣品和不同組分比的HfAlO樣品進行CV測試,發(fā)現(xiàn)在N2和N2/H2混合氣體中退火會給氧化層中引入一定量的正電荷,并且慢界面態(tài)的密度也會在退火后減少很多。⑵提出對于MOS電容的界面缺陷
2、,用DLTS測量的時候,測得的激活能不一定對應著能級位置,而可能對應著導帶和費米面的距離。并且對樣品表面勢進行了模擬計算,得到了理論上導帶和費米面的之間的距離。對于Al2O3樣品,通過不飽和填充的DLTS測試,得到了缺陷俘獲截面對應的激活能為0.25eV,從而對上述模型進行修正。同時,Al2O3樣品激活能隨靜態(tài)偏壓變化趨勢也證明了其缺陷主要位于Al2O3和Si接觸的界面上。⑶通過DLTS測試發(fā)現(xiàn),HfAlO樣品的缺陷對應的激活能不隨靜態(tài)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 黑硅材料的金半接觸及電學特性.pdf
- 原子層淀積high-k柵介質和擴散阻擋層及其特性研究.pdf
- 對多晶硅納米薄膜電學修正特性的研究.pdf
- 對多晶硅納米薄膜電學修正特性的研究
- 摻雜納米硅薄膜的制備及其光電學特性.pdf
- 硅薄膜太陽電池電極接觸特性的研究.pdf
- NiGe(Si)薄膜的熱穩(wěn)定性及其與Ge(Si)接觸電學特性研究.pdf
- MEMS中多孔硅的電學與光學特性研究.pdf
- 鈷鎳與鍺硅薄膜的固相反應及肖特基接觸特性研究.pdf
- 應變硅器件電學特性研究.pdf
- 氧化鋅薄膜電學特性的研究.pdf
- 硅晶體歐姆接觸特性研究.pdf
- 氧化鉺高K薄膜材料的結構與電學性能研究.pdf
- 高K柵介質Al2O3薄膜的力學及電學特性研究.pdf
- UHVCVD生長鍺硅薄膜及其電學性能研究.pdf
- PECVD硅薄膜的微觀結構及光-電學性能研究.pdf
- 鍺硅雙層量子點的電學特性研究.pdf
- 氧化鋅薄膜電學特性的研究
- 微晶硅薄膜的結構和電學性質的研究.pdf
- RTCVD沉積的多晶硅薄膜的電學性質.pdf
評論
0/150
提交評論