氧化鋅薄膜電學特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于紫外波段激光器在信息顯示和信息存儲特別是在海底探測，紫外通訊和光存儲，醫(yī)療和診斷，防偽和檢測，分析儀器等方面都有十分重要的應用，是一項具有重要應用前景的基礎(chǔ)研究。氧化鋅作為一種寬帶隙半導體(3.3eV)，激子束縛能大(60meV)，在室溫下容易獲得強的激子發(fā)射，而且可能成為紫外激光的重要材料。因此，對氧化鋅的研究已成為繼GaN之后寬帶隙半導體研究的又一熱點。為了獲得高質(zhì)量的氧化鋅薄膜材料，人們已采用分子束外延，有機化學汽相沉積，脈沖

2、激光沉積，磁控濺射等各種技術(shù)來制備氧化鋅薄膜材料。盡管，自從2004年日本、中國和美國的科學家先后獲得了ZnO半導體二極管的電致發(fā)光，然而，由于缺少質(zhì)量更高的n型和更穩(wěn)定的p型ZnO薄膜，ZnO基的半導體激光器，還很難實現(xiàn)。本論文針對這些困難開展了以下方面的研究： 1.研究了由P-MBE制備的未摻雜的ZnO薄膜，通過測試霍爾效應發(fā)現(xiàn)在650℃生長溫度下有最好的電學特性；同時，研究了N摻雜的ZnO薄膜，發(fā)現(xiàn)在低溫與富鋅條件下生長，

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