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1、ZnO具有六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),室溫下禁帶寬度為3.34 eV,且激子束縛能高達(dá)60 meV,是一種重要的寬禁帶Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料.由于激子束縛能比室溫?zé)犭x化能26 meV大得多,更易在室溫下實現(xiàn)高效的激子發(fā)射,此外,其生長溫度幾乎比GaN低一倍,這就在很大程度上避免了因高溫生長而導(dǎo)致膜與襯底間的原子互擴(kuò)散,因此,ZnO已成為寬帶隙半導(dǎo)體材料研究熱點之一.該文介紹了一種新的制備納米ZnO薄膜的方法,即通過熱氧化ZnS來獲得高質(zhì)量的納米ZnO薄
2、膜,同時,還采用熱氧化Zn<,3>N<,2>薄膜的方法來獲得摻氮的ZnO薄膜,利用在n型的襯底上來沉積ZnO:N薄膜來獲得ZnO異質(zhì)結(jié).采用X射線衍射(XRD)譜,光致發(fā)光(PL)譜及電流-電壓(Ⅰ-Ⅴ)特性曲線等測量手段對樣品的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)特性進(jìn)行了表征.實驗結(jié)果表明通過熱氧化ZnS薄膜,獲得了高質(zhì)量的納米ZnO薄膜;利用熱氧化Zn<,3>N<,2>制備的ZnO:N薄膜,可以通過對熱氧化溫度的控制,來控制其受主的濃度,從而獲得具有
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